功能描述：MOSFET N-CH 150V 106A TO263

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：106A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5.1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：60nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：3010pF @ 75V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：277W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263（D2Pak）

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：800

AOB254L

AOB256L

AOB25S65

AOB25S65L

AOB2606L

AOB2608L

AOB260L

AOB2618L

AOB262L

AOB264L